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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4,5A; Idm: 20A; 1,18W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-DMN10H099SFG-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN10H099SFG-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI3333-8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 4,5A
Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,18W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 20A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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