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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2,7A; 1,3W; PowerDI®3333-8


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-DMN10H170SFG-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN10H170SFG-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI®3333-8
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 2,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,133Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,3W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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