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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 350mA; 400mW; X2-DFN1006-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-DMN2005LP4K-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN2005LP4K-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: X2-DFN1006-3
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 0,35A
Widerstand im Leitungszustand: 3,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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