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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1,1A; Idm: 4,4A; 550mW; SOT323


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1,1A; Idm: 4,4A; 550mW; SOT323
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1,1A; Idm: 4,4A; 550mW; SOT323
Artikel-Nr.:
     2805-DMN2310UW-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN2310UW-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT323
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 1,1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,55W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 0,7nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±8V
Drainstrom im Impuls: 4,4A
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