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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3,4W; TO252


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-DMN3009SK3-13
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3009SK3-13
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: TO252
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 16A
Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 3,4W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 42nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 100A
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