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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,3A; 0,5W; SC59


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,3A; 0,5W; SC59
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4,3A; 0,5W; SC59
Artikel-Nr.:
     2805-DMN3070SSN-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3070SSN-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SC59
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 4,3A
Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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