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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,1A; Idm: 25A; 1,8W; SOT23


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,1A; Idm: 25A; 1,8W; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3,1A; Idm: 25A; 1,8W; SOT23
Artikel-Nr.:
     2805-DMN3110S-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN3110S-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 3,1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,11Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,6nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 25A
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