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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 300mA; 350mW; X2-DFN1006-3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     2805-DMN32D2LFB4-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN32D2LFB4-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: X2-DFN1006-3
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 0,3A
Widerstand im Leitungszustand: 2,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 0,35W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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