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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,26A; 0,45W; SOT563

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,26A; 0,45W; SOT563

Artikel-Nr.:
2805-DMN63D8LV-7

Hersteller:
Diodes

Herst.-Nr.:
DMN63D8LV-7

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor

Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT563
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 0,26A
Widerstand im Leitungszustand: 2,8Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET x2
Verlustleistung: 0,45W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor

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