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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0,8A; 540mW; SOT23


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0,8A; 540mW; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; Idm: 0,8A; 540mW; SOT23
Artikel-Nr.:
     2805-DMN65D8LQ-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN65D8LQ-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: SOT23
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 0,21A
Widerstand im Leitungszustand: 4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Anwendung: Automobilbranche
Verlustleistung: 0,54W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 870pC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 0,8A
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