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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 110A; 1,5W


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-DMT35M4LFVW-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMT35M4LFVW-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI®3333-8
Drain-Source Spannung: 30V
Drainstrom: 13A
Widerstand im Leitungszustand: 9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 1,5W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 16,1nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 110A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, diodes mosfet, smd transistor
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