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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 8,6A; Idm: 65A; 2W


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Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-DMT4011LFG-7
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMT4011LFG-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Montage: SMD
Gehäuse: PowerDI3333-8
Drain-Source Spannung: 40V
Drainstrom: 8,6A
Widerstand im Leitungszustand: 17,8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 15,1nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -16...20V
Drainstrom im Impuls: 65A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.