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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 310W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-FDB3632
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDB3632
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 80A
Widerstand im Leitungszustand: 22mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 310W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 110nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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