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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,5A; Idm: 30A; 83W; DPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,5A; Idm: 30A; 83W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,5A; Idm: 30A; 83W; DPAK
Artikel-Nr.:
     2805-FDD10N20LZTM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDD10N20LZTM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 4,5A
Widerstand im Leitungszustand: 0,38Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 83W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 16nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 30A
Die Konditionen im Überblick1
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