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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 6,2A; Idm: 60A; 83W; DPAK


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onsemi PowerTrench FDD3860 N-Kanal, SMD MOSFET 100 V / 29 A 69 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     2805-FDD3860
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDD3860
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 6,2A
Widerstand im Leitungszustand: 64mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 83W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 31nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 60A
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