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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 9A; Idm: 40A; 2,1W; MicroFET


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-FDME820NZT
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDME820NZT
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: MicroFET
Drain-Source Spannung: 20V
Drainstrom: 9A
Widerstand im Leitungszustand: 24mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 2,1W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 8,5nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±12V
Drainstrom im Impuls: 40A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.