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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 114A; Idm: 628A; 106W; PQFN8


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     2805-FDMS4D0N12C
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDMS4D0N12C
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: PQFN8
Drain-Source Spannung: 120V
Drainstrom: 114A
Widerstand im Leitungszustand: 8,8mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 106W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 82nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 628A
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