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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 8,6/-7,3A; 2W; SO8


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Produktinformationen
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 8,6/-7,3A; 2W; SO8
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 8,6/-7,3A; 2W; SO8
Artikel-Nr.:
     2805-FDS8858CZ
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS8858CZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: SO8
Drain-Source Spannung: 30/-30V
Drainstrom: 8,6/-7,3A
Widerstand im Leitungszustand: 28,8/24,3mΩ
Transistor-Typ: N/P-MOSFET
Verlustleistung: 2W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 46/24nC
Technologie: PowerTrench®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25/±20V
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