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Transistor: IGBT; 1,3kV; 30A; 250W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; 1,3kV; 30A; 250W; TO247-3
Transistor: IGBT; 1,3kV; 30A; 250W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     2805-FGH30S130P
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FGH30S130P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
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Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 1,3kV
Gate - Emitter Spannung: ±25V
Kollektor-Emitter-Strom: 30A
Kollektorstrom im Impuls: 90A
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 250W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: integrated anti-parallel diode
Gate-Ladung: 372,3nC
#Werbeaktionen: aac_202202
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