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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4,6A; Idm: 30A; 147W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-FQB8N60CTM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQB8N60CTM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 4,6A
Widerstand im Leitungszustand: 1,2Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 147W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 36nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 30A
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