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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,8A; Idm: 62,4A; 50W; DPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,8A; Idm: 62,4A; 50W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9,8A; Idm: 62,4A; 50W; DPAK
Artikel-Nr.:
     2805-FQD19N10TM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD19N10TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 9,8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,1Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 50W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 25nC
Technologie: QFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±25V
Drainstrom im Impuls: 62,4A
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.