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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1,95A; Idm: 12A; 30W; DPAK


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1,95A; Idm: 12A; 30W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 1,95A; Idm: 12A; 30W; DPAK
Artikel-Nr.:
     2805-FQD4N20TM
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD4N20TM
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: SMD
Gehäuse: DPAK
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 1,95A
Widerstand im Leitungszustand: 1,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 30W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 6,5nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 12A
Die Konditionen im Überblick1
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