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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen

Artikel-Nr.:
     2805-FQU1N80TU
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQU1N80TU
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: ONSEMI
Montage: THT
Gehäuse: IPAK
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 0,63A
Widerstand im Leitungszustand: 20Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 45W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 7,2nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 4A
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