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Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1,2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Artikel-Nr.:
     2805-G3R75MT12D
Hersteller:
     Genesic Semiconductor
Herst.-Nr.:
     G3R75MT12D
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Drain-Source Spannung: 1,2kV
Drainstrom: 29A
Widerstand im Leitungszustand: 75mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 207W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Gate-Ladung: 54nC
Technologie: SiC;G3R™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: -5...15V
Drainstrom im Impuls: 80A
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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