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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Artikel-Nr.:
     2805-IPB037N06N3GATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB037N06N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO263-3
Drain-Source Spannung: 60V
Drainstrom: 90A
Widerstand im Leitungszustand: 3,7mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 188W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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