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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Artikel-Nr.:
     2805-IPB039N10N3GATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB039N10N3GATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO263-7
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 160A
Widerstand im Leitungszustand: 3,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 214W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 3
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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