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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-IPB60R060P7
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB60R060P7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 164W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Gate-Ladung: 67nC
Technologie: CoolMOS™ P7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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