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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO263-3

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Produktinformationen

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37,9A; 278W; PG-TO263-3

Artikel-Nr.:
2805-IPB60R099C6ATMA1

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPB60R099C6ATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO263-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 37,9A
Widerstand im Leitungszustand: 99mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 278W
Polarisierung: unipolar
Einheitspreis: Nein
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: CoolMOS™ C6
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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