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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO263-3-2
Artikel-Nr.:
     2805-IPB60R099CPATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB60R099CPATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO263-3-2
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 31A
Widerstand im Leitungszustand: 0,105Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 255W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™ CP
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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