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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 68W; D2PAK
Artikel-Nr.:
     2805-IPB60R180C7
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPB60R180C7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 68W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 24nC
Technologie: CoolMOS™ C7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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