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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 67A; 125W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     2805-IPD12CN10NGATMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD12CN10NGATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 100V
Drainstrom: 67A
Widerstand im Leitungszustand: 12,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Technologie: OptiMOS™ 2
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor
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