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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 30A; 136W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     2805-IPD30N08S222
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD30N08S222ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 75V
Drainstrom: 30A
Widerstand im Leitungszustand: 21,5mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 136W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 44nC
Technologie: OptiMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor
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