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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; 51W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     2805-IPD60R280CFD7
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD60R280CFD7
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 6A
Widerstand im Leitungszustand: 0,536Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 51W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 18nC
Technologie: OptiMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.