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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 53W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     2805-IPD60R280P7
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD60R280P7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 8A
Widerstand im Leitungszustand: 0,28Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 53W
Polarisierung: unipolar
Eigenschaften von Halbleiterelementen: ESD protected gate
Gate-Ladung: 18nC
Technologie: CoolMOS™ P7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor
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