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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16,1A; 208W; PG-TO252-3
Artikel-Nr.:
     2805-IPD65R250E6XTMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPD65R250E6XTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 650V
Drainstrom: 16,1A
Widerstand im Leitungszustand: 0,25Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 208W
Polarisierung: unipolar
Technologie: CoolMOS™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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