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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 13W; PG-TO252-3; ESD

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Produktinformationen:

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 13W; PG-TO252-3; ESD

Artikel-Nr.:
2805-IPD80R4K5P7

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPD80R4K5P7ATMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-TO252-3
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 1A
Widerstand im Leitungszustand: 4,5Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 13W
Polarisierung: unipolar
Ausführung: ESD
Gate-Ladung: 17nC
Technologie: CoolMOS™ P7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, smd transistor

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