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Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 47A; Idm: 135A

Menge:

Stück

Produktinformationen:

Artikel-Nr.:
2805-IPDD60R050G7XTMA1

Hersteller:
Infineon

Herst.-Nr.:
IPDD60R050G7XTMA1

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-HDSOP-10-1
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 47A
Widerstand im Leitungszustand: 50mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 278W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 68nC
Technologie: CoolMOS™ G7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 135A

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Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor

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