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Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Infineon IPDD60R080G7 Transistor 600 V
Infineon IPDD60R080G7 Transistor 600 V
Artikel-Nr.:
     2805-IPDD60R080G7XTMA1
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPDD60R080G7XTMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Dual Transistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-HDSOP-10-1
Drain-Source Spannung: 600V
Drainstrom: 29A
Widerstand im Leitungszustand: 80mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 174W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 42nC
Technologie: CoolMOS™ G7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 83A
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