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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 2,4A; 7W; PG-SOT223; ESD


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 2,4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 2,4A; 7W; PG-SOT223; ESD
Artikel-Nr.:
     2805-IPN95R2K0P7
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPN95R2K0P7ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-SOT223
Drain-Source Spannung: 950V
Drainstrom: 2,4A
Widerstand im Leitungszustand:
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 7W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Einheitspreis: Nein
Ausführung: ESD
Gate-Ladung: 10nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: CoolMOS™ P7
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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