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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W


Menge:  Stück  
Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W
Artikel-Nr.:
     2805-IPT029N08N5
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IPT029N08N5ATMA1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PG-HSOF-8
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 120A
Widerstand im Leitungszustand: 2,9mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 167W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band
Gate-Ladung: 70nC
Technologie: OptiMOS™ 5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 676A
Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet infineon, smd transistor
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