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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; D2PAK


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Produktinformationen:
Infineon IRF135S203 Transistor 100 V
Infineon IRF135S203 Transistor 100 V
Artikel-Nr.:
     2805-IRF135S203
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF135S203
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK
Drain-Source Spannung: 135V
Drainstrom: 91A
Widerstand im Leitungszustand: 8,4mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 441W
Polarisierung: unipolar
Gate-Ladung: 0,27µC
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Drainstrom im Impuls: 512A
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