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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB


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Produktinformationen:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Artikel-Nr.:
     2805-IRF5210PBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF5210PBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
leistungs-mosfet
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: THT
Gehäuse: TO220AB
Drain-Source Spannung: -100V
Drainstrom: -40A
Widerstand im Leitungszustand: 60mΩ
Transistor-Typ: P-MOSFET
Verlustleistung: 200W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 0,12µC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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