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Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5,7A; 75W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5,7A; 75W
Transistor: N-MOSFET; MESH OVERLAY™ II; unipolar; 200V; 5,7A; 75W
Artikel-Nr.:
     2805-IRF630
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     IRF630
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Hersteller: STMicroelectronics
Montage: THT
Gehäuse: TO220-3
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 5,7A
Widerstand im Leitungszustand: 0,4Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 75W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Ausführung: ESD
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: MESH OVERLAY™ II
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: mosfet
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