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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,6A; 89W; DirectFET


Menge:  Packung  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,6A; 89W; DirectFET
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 4,6A; 89W; DirectFET
Artikel-Nr.:
     2805-IRF6641TRPBF
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRF6641TRPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: DirectFET
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 4,6A
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 89W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Technologie: HEXFET®
Kanal-Art: stark
Die Konditionen im Überblick1
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Unser Angebot richtet sich ausschließlich an Unternehmen, Gewerbetreibende und Freiberufler.