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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,6A; 125W; D2PAK,TO263


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,6A; 125W; D2PAK,TO263
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2,6A; 125W; D2PAK,TO263
Artikel-Nr.:
     2805-IRFBE30SPBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRFBE30SPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 800V
Drainstrom: 2,6A
Widerstand im Leitungszustand: 3Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Gate-Ladung: 78nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
Weitere Suchbegriffe: Transistor, smd transistor
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