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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W


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Produktinformationen
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Artikel-Nr.:
     2805-IRL640STRLPBF
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     IRL640STRLPBF
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Hersteller: VISHAY
Montage: SMD
Gehäuse: D2PAK;TO263
Drain-Source Spannung: 200V
Drainstrom: 11A
Widerstand im Leitungszustand: 0,18Ω
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 125W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Band;Rolle
Gate-Ladung: 66nC
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±10V
Drainstrom im Impuls: 68A
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