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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5,8W; PQFN2X2


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Produktinformationen:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5,8W; PQFN2X2
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5,8W; PQFN2X2
Artikel-Nr.:
     2805-IRL80HS120
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRL80HS120
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Montage: SMD
Gehäuse: PQFN2X2
Drain-Source Spannung: 80V
Drainstrom: 9A
Widerstand im Leitungszustand: 32mΩ
Transistor-Typ: N-MOSFET
Verlustleistung: 5,8W
Polarisierung: unipolar
Verpackungs-Art: Rolle
Gate-Ladung: 4,7nC
Technologie: OptiMOS™ 5
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±20V
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