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Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3


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Produktinformationen
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Transistor: IGBT; BiMOSFET™; 3kV; 12A; 160W; TO247-3
Artikel-Nr.:
     2805-IXBH12N300
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXBH12N300
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
Schalttransistor
Transistor
igbt
Hersteller: IXYS
Montage: THT
Gehäuse: TO247-3
Kollektor-Emitter-Spannung: 3kV
Gate - Emitter Spannung: ±20V
Kollektor-Emitter-Strom: 12A
Kollektorstrom im Impuls: 100A
Anschaltzeit: 460ns
Ausschaltzeit: 705ns
Transistor-Typ: IGBT
Verlustleistung: 160W
Verpackungs-Art: Tube
Einheitspreis: Nein
Eigenschaften von Halbleiterelementen: Hochspannung
Gate-Ladung: 62nC
#Werbeaktionen: aac_202202
Technologie: FRED;BiMOSFET™
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