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Modul; einzelner Transistor; 300V; 86A; SOT227B; schraubbar; 570W


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 300V; 86A; SOT227B; schraubbar; 570W
Modul; einzelner Transistor; 300V; 86A; SOT227B; schraubbar; 570W
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN102N30P
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN102N30P
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
ixys mosfet
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 200ns
Drain-Source Spannung: 300V
Drainstrom: 86A
Widerstand im Leitungszustand: 33mΩ
Verlustleistung: 570W
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 224nC
Technologie: HiPerFET™;Polar™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 250A
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