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Modul; einzelner Transistor; 300V; 192A; SOT227B; schraubbar


Menge:  Stück  
Produktinformationen
Modul; einzelner Transistor; 300V; 192A; SOT227B; schraubbar
Modul; einzelner Transistor; 300V; 192A; SOT227B; schraubbar
Artikel-Nr.:
     2805-IXFN210N30P3
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXFN210N30P3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet
Hersteller: IXYS
Gehäuse: SOT227B
Struktur des Halbleiters: einzelner Transistor
Bereitschaftszeit: 250ns
Drain-Source Spannung: 300V
Drainstrom: 192A
Widerstand im Leitungszustand: 14,5mΩ
Verlustleistung: 1,5kW
Polarisierung: unipolar
Elektrische Montage: schraubbar
Mechanische Montage: schraubbar
Modul-Typ: Bipolartransistor, MOSFET
Gate-Ladung: 268nC
Technologie: HiPerFET™;Polar3™
Kanal-Art: stark
Gate-Source Spannung: ±30V
Drainstrom im Impuls: 550A
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